本来想结束这个帖子了，但最近13、14代牙膏的问题愈演愈烈，而涉及电压的一个关键点，CPU Loadline Calibration（LLC），网上的说法相当暧昧。有些人发了很长的帖子，外网还有人发了很长的用示波器测量的视频，内容确实很多。但不知道是这些人觉得观众缺乏物理知识，还是他们自己的物理知识不过关，内容描述了很多现象，却难以从中提炼出什么指导思想。我尽量用简单的数学和物理模型讲讲这个问题的原理，以期能通过原理推论出一些可以落实的办法。

1、CPU负载模型

CPU可以简化为一个直流负载：一定的电压【U】和一定的电流【I】构成一个【负载状态】。不过CPU负载状态并不是瞬时变化的，没必要用电流这种带导数（dQ / dt）东西去定义，而是可以更简单一点：在一定的时间周期内，有一定的电压【U】和一定（通过CPU）的电荷【Q】。高负载意味着更大的Q，U需要保持一定的范围以维持正常工作（太低宕机，太高物理损坏）。

2、供电模块模型

理想的供电模块当然是【永远和CPU负载匹配】，也就是在某个CPU负载周期内能确保提供U和Q，并且在下一个CPU负载周期能确保提供新的U和Q。然而现实中的元件切换【供电状态】远比CPU切换【负载状态】要慢，理想供电模块不存在。

现在假设CPU从第一个周期的低负载U1、Q1切换到了第二个周期的高负载U2、Q2，这里ΔQ = Q2 - Q1 > 0，而供电模块还没来得及更新，还是处于针对U1、Q1这个负载的状态。先不说U2和U1是什么关系，单是这ΔQ总不能凭空出现。解决办法是在供电模块上设置电容存储电荷，在需要找补电荷的时候，通过电容放电来提供差额。

电荷、电容、电压的关系是Q = C * U（C为电容），如果我们要从电容找补ΔQ的电荷，电压下降ΔU = ΔQ / C。简单来说，靠电容找补的负载是U1 - ΔU、Q2这个组合。

注意这只是靠电容找补一个CPU负载周期，现实中需要持续找补很多个周期：供电模块调整自身状态越慢，靠电容找补的周期越多，电压也会持续下降，最终就是ΣΔU = ΣΔQ / C。

ΣΔU就是最大降压，也就是造成宕机的短板。这个东西：

（1）和CPU负载变化基本呈正比；

（2）和供电模块的电容基本成反比；

（3）和供电模块的调节周期基本成正比，或者说和供电模块的调节频率基本成反比。

若要减小ΣΔU，供电模块上能做的就是【增加电容】和【增大调节频率】。但不论是电容还是调节频率都不可能无限大，总会有一定的上限，因此ΣΔU无可避免。只能说供电模块做得比较【好】的时候可以减小ΣΔU。

从高负载转向低负载的原理类似，只是ΔQ是个减量，这些电荷也不可能凭空消失，而是充到电容里；最终有最大升压ΣΔU。

3、DC Loadline与基准电压

还是看低负载切换到高负载的情况。现在供电模块终于缓过来了，可以按U2、Q2的负载供电，这里就有个问题：U2怎么取？

在供电模块没调节好之前，电压已经下降到了U1 - ΣΔU。如果U1 - ΣΔU都能正常运行，U2就没有必要高于U1 - ΣΔU。拉高U2反而有问题：

（1）徒增功耗；

（2）在负载由高转低的时候，电压最多能上升到U2 + ΣΔU，更高的U2意味着整体电压更高，可能损坏CPU。

比较合理的做法是让U2与U1 - ΣΔU基本相同，而更保守的做法是：干脆让U2比U1 - ΣΔU还低，如果U2都不宕机，那么负载切换过程中也不可能宕机或损坏CPU。

实现从U1降低到U2的办法就是DC Loadline：它定义了一个电阻值（注意只是值，并没有真正的电阻）R_dcll，在负载电流为I_load时，调节目标为U2 = U1 - I_load * R_dcll。

I_load * R_dcll当然没法保证和ΣΔU相同，但它和CPU的负载成正比，这很接近ΣΔU的性质（1），特别是在空载转向满载的时候。

如果供电模块做得太【烂】，ΣΔU相当大，那么R_dcll也不得不增大，但这导致最终的U2更低。如果要保证U2不宕机，就需要拉高U1，或者说拉高轻载时的电压。而这个轻载时的电压就是一种基准电压，具体表现为前面楼里说的VID。

4、CPU Loadline Calibration

这个项目字面意思是负载线【校正】，它校正的是啥呢？DC Loadline。

如果供电模块做得【好】，ΣΔU能控制得比较小，就没有必要使用很大的DC Loadline阻值。

如果CPU最大负载比较小（比如中低端CPU），可能也没有必要使用很大的DC Loadline阻值。

具备LLC功能的主板（好像没有不具备的）会用LLC设置值R_llc代替R_dcll作为供电模块调整电压的参数。

普通用户讲的CPU【体质】，其实并不仅仅是CPU自身的属性，还涉及主板的供电模块及设置。因为在DC Loadline不够保守的情况下，真正造成宕机的短板电压是U1 - ΣΔU，而这个电压值转瞬即逝，软件层面根本获取不到，只能靠示波器测量。太激进的DC LL或LLC会让CPU的【体质】看起来比较糟糕，即似乎需要比较高的U2才能维持重载，但实际上这个U2是冗余的。

普通用户能采用的调试方法是人为制造轻重载快速转换，观察是否宕机：比如运行一个烤机软件，然后快速滑动鼠标，就可以造成CPU负载的快速波动。如果这样也没事儿，那算是比较稳了。

牙膏厂的一些做法，比如非常保守的VID、非常保守的DC Loadline标准值，增加CEP、UVP之类的功能，其【动机】可以理解。毕竟牙膏厂无法控制供电模块的质量，从商业的角度讲也不能对供电模块提出太苛刻的标准（主板成本高，CPU也不好卖）。但我并不认同牙膏厂的做法。这套供电设计大概已经用了20年（是不是更久我不清楚），堪称弱智。整了个CEP机制应对欠压，但效果堪称搞笑，开关CEP愣是成了区分产品线的商业手段。本来打算13代内建DLVR细调电压，没整利索直接砍了，还嘴硬说什么从来没打算加DLVR（真当大家是没见过ES的傻子）。

我发这一系列的帖子不是给牙膏厂拔创，而是希望已经买了牙膏的用户能有个更好的体验，毕竟CPU不是说换就换。

littleeva (小eva) 在 ta 的帖子中提到：

CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

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