CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

CPU微码（Micro Code）能改变上述函数V，有些主板刷了新BIOS体质评分会改变（有人认为是散热器导致的，其实不是，看了后面就明白了）。此外应该还有CPU内建的静态参数能改变V，不过具体是啥形式我就真不知道了。

2、VID的测量

VID实质上是个函数，我们无法获知函数的具体逻辑与实现形态，只能测量：在一定的条件下，输入相应的参数，读取一个近似的输出。如果我们给这些输入输出对建立映射表，则这个映射表——如果将其视为离散函数——近似于前面说的函数V。

VID的测量工具自然是主板，且需要主板正确实现了下述功能：

（1）CPU电压数据源可指定为VCC Sense。VCC Sense是CPU内建的电压信号点，数值由CPU自行算出，不受主板影响。

（2）AC Loadline（AC LL）可调节为最小值0.01毫欧。

（3）CPU Loadline Calibration（LLC）可调节为最小值0.01毫欧。

（4）TVB电压优化可关闭。TVB电压优化是让电压随温度变化而变动，关闭后总是保持最大。

（5）部件（P核、E核、环形总线）可调节倍频。

开始测量前，将主板电压数据源指定为VCC Sense，AC LL、LLC都设置为最小值，关闭电压优化。现在输入一组部件倍频：P核倍频r_p、E核倍频r_e、环形总线倍频r_r，重启电脑使设置生效，你将看到一个电压读数V_real，满足：

V_real ≈ Max(V<p>(r_p), V<e>(r_e), V<r>(r_r))

你可以通过显著降低r_p、r_e、r_r中的某两个，获取特定V<part>的近似输出值。

我用的微星主板完全具备测量需要的功能，但他家好死不死就是不直接提供测量好的VID。目前只有华硕和华擎的主板直接显示测量值，难道这个有什么专利别人不能搞😂

3、B0步进牙膏（13、14代酷睿）的电压问题

虽然CPU内部会计算三个电压，但最终使用的只有最大值，所以体质最拉胯的部件就成了短板，其电压过高会造成整体功耗爆炸。

那么牙膏里面最拉胯的部件是啥呢？答案是E核。比如我最近用的14900K，E核默认4.4GHz，电压高过P核5.6GHz，仅比P核5.7GHz时低一点。如果E核频率不降，电压就降不下去，这在功耗受限场景下让人很不爽。如果你搞个14900T，默认大概是E核4.0GHz、P核4.5GHz，这时候的电压完全是E核电压主导的，少说1.15V，而P核4.5G可能1V多点就够了，徒增功耗。

13代酷睿原本预计增加DLVR（数字线性电压调节器）模块分别控制P核、E核的电压，早期A0步进的ES版本是有这个模块的（一些不懂的人说这个模块有E核电压偏高的bug，其实不是bug，本来就是E核要加电压），但后来可能是没调试利索直接给砍了。13代正式版上市之后电压极其炸裂，我有个大雷13600KF，默认P核5.1GHz、E核3.9GHz的情况下居然也TM是E核电压最大。

4、降压操作

虽然目前不论主板BIOS还是ThrottleStop都有个E Core L2 Cache电压偏移设置项，看起来好像能给E核单独降压，但我实测这个项目没有任何用处（可能本来是搭配DLVR才有效）。相反，P Core电压偏移设置同时对P核和E核有效，但这无法改变P核和E核的电压差值。所以如果你不幸用的是E核大雷，你恐怕要颇费一番周折细调各种降压项目，才能在电压和功耗上获得比较理想的结果。

理论上牙膏厂可以通过新微码调整电压，但这充其量让降压容易操作一些，并不能实质性改变体质；在没有DLVR按需分配电压的情况下，P核即使降频依然功耗虚高。

简单介绍一下英特尔CPU电压相关的算法。先说几个关键概念：

1、R_acll：AC Loadline（电阻值）；

2、R_dcll：DC Loadline（电阻值）；

3、R_llc：CPU Loadline Calibration（电阻值）；

4、I_pre：CPU预测负载（电流值）；

5、I_load：CPU实际负载（电流值）；

6、dV_pwm：主板供电端电压偏移（电压值）；

7、dV_cpu(ratio)：CPU内部电压偏移（电压值），可按倍频分别调整。

使用主楼的V表示VID计算函数，忽略部件参数，在倍频为r时，CPU实际工作电压

V_real = V(r) + I_pre * R_acll - I_load * R_llc + dV_cpu(r) + dV_pwm

不难看出

V(r) = V_real - I_pre * R_acll + I_load * R_llc - dV_cpu(r) - dV_pwm

如果我们让V_real后面的所有项和为零，则V(r) = V_real，V_real为V(r)真值。dV_pwm和dV_cpu(ratio)可以直接设置为零。I_pre和I_load无法控制且未必相等，理论上需要R_acll和R_llc都为零才能保证所有项和为零，实际上这俩能设置到的最小值是0.01毫欧。再考虑到传感器测量误差，只能说V_real ≈ V(r)

CPU Loadline Calibration，俗称防掉压，在很多主板上只有挡位调节，没有显示具体值，当然BIOS内部知道具体值。下面提供一种测量某挡位上R_llc的方法，条件是主板能调节DC Loadline。

这里引入一个新的观测值：软显VID，即使用监控软件（推荐HWiNFO）查看到的CPU VID，记为V_soft。

在给定倍频r的情况下

V_soft = V(r) + I_pre * R_acll - I_load * R_dcll + dV_cpu(r) + dV_pwm

对比

V_real = V(r) + I_pre * R_acll - I_load * R_llc + dV_cpu(r) + dV_pwm

不难看出当R_dcll = R_llc时，V_soft = V_real。所以在某个防掉压挡位下，调节DC Loadline，使得软显VID电压和实际电压相同，就可以确定当前CPU Loadline Calibration阻值。需要注意的是，V_real须来源于VCC Sense，但不同主板对VCC Sense信号的【分辨率】（最小电压差值）有区别，你可能需要先观察读数的分辨率再判断何为【软显VID电压和实际电压相同】。

DC Loadline曾被用于计算软显功耗。但在VCC Sense出现之后，DC Loadline似乎没用了。现在软显功耗通常也是基于实际电压和电流计算，调DC Loadline并不能改变软显功耗。

littleeva (小eva) 在 ta 的帖子中提到：

CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

……

本楼简单分析一下牙膏运行不稳定的问题。

13、14代高端CPU出现一些死机、报错的问题，这些问题都可以说是在一定频率和负载下欠压，但欠压的原因多种多样。按前面的电压计算公式：

V_real = V(r) + I_pre * R_acll - I_load * R_llc + dV_cpu(r) + dV_pwm

牙膏厂的标准（或者说提供的保证）是：R_acll和R_llc都取1.1毫欧，dV_cpu(r)和dV_pwm皆为零时，r倍频下的V_real足够稳定运行。

这样搞稳定性是没问题，但电压和功耗炸裂，散热和供电压力山大，CPU也会撞温度墙和功耗墙而降频，从而达不到【有竞争力的性能】。

于是各家板厂在牙膏厂的明示或暗示下搞了一些降压增效的办法，典型的办法是：降低R_acll，R_llc仍保持标准值，dV_cpu(r)和dV_pwm仍保持为零。但这个办法有个严重问题：

【负载越大，降压越多】

随着14900K、14900KS的推出，这个办法越来越不好使，板厂多次更新BIOS提升R_acll。而如果不更新BIOS，则可能面临【默认设置】下都会报错死机的情况，对于普通消费者而言自然会认为这是产品有质量问题，各种要求售后。当然这都是咎由自取。

另外一类报错或死机问题，即运行某种软件时很容易挂掉（比如Cinebench R15），则源于【负载预测偏低】。

从前面的公式不难看出，I_pre和电压正相关，I_pre偏低会造成【意料之外的欠压】，此时再降低R_acll会雪上加霜。

I_pre有一种测量方法，需要主板支持调节IccMax。IccMax是预测电流墙，你可以保持一定频率运行某个软件，通过调节IccMax观察何时出现了【Electrical Design Point/Other】（简写为【EDP/Other】）限制，大致判断当前负载的预测值。

以我用的14900K为例，在5.6GHz/4.4GHz的固定频率下，CB R15的预测负载大约为350A，而CB R23的预测负载大约为380A。所以运行CB R23时电压明显较高，而运行CB R15就有可能欠压了。CB R23的负载预测很保守，通常不会出问题，也没有参考价值。我们需要关注的是过于【乐观】的负载预测。

我不知道负载预测的具体算法，但我猜可能和指令有关，且相关算法应该是硬件实现的，在寸土寸金的晶片上不太可能实装很【智能】的算法。R23用到了AVX指令集，这可能导致负载预测值较大。类似地如果你设定了合理的IccMax，比如i9不超过400，那么运行如P95第二项这种压力超大的程序时，会因EDP/Other限制而在【实际执行前】降频，反而不会挂掉。R15似乎没有用到AVX指令集，很难触发EDP/Other限制，即使设置了功耗上限也无法在实际执行前降频；而且功耗检测有一定的周期和延迟，可能在功耗检测前就已经挂掉了。

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CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

……

最后一次更新，谈谈13、14代B0步进高端CPU楞怼高频的问题。这次以我用的14900K为例。

如果按华硕的SP评分，我手上这颗14900K大概对应大核110分、小核76分。虽然算不上雕，但也算比较好的，小核比较拉胯。我用前面说的方法实际测量了高频区段的VID：

P60：1.448

P58：1.405

P57：1.369

P56：1.333

P55：1.304

P54：1.273

P53：1.244

P52：1.217

P51：1.188

P45：1.043

P43：0.992

E44：1.354

E43：1.304

E42：1.259

E41：1.209

E40：1.163

默认全核睿频是P57、E44，此时VID会取P57的1.369。

我在BIOS里面设置了AC LL、DC LL、LLC皆为0.38毫欧（这是个摸索出来比较适合降压的组合，不同主板没有可比性），然后以通过R15为基准测试不同频率下的降压空间。默认P57/E44的功耗过于炸裂，我没有那么好的散热器，因此是从P56/E43开始往下测的。大致结果如下：

P56/E43(1.333P)：-0.105

P55/E43(1.304P)：-0.135

P54/E43(1.304E)：-0.165(-0.135 For P)

P55/E42(1.304P)：-0.140

P54/E42(1.273P)：-0.155

P53/E42(1.259E)：-0.175(-0.160 For P)

P53/E41(1.244P)：-0.175

P52/E41(1.217P)：-0.175

P51/E41(1.209E)：-0.195(-0.175 For P)

P51/E40(1.188P)：-0.185

P45/E40(1.163E)：-0.195

假设P核和E核相互之间不影响体质，降压空间遵循木桶原理，那么可以整理出下面这个P核、E核分离的降压空间。

P56：-0.105

P55：-0.135

P54：-0.155

P53：-0.175

P52：-0.175

P51：-0.185

E43：-0.165

E42：-0.175

E41：-0.195

E40：-0.195

当频率超过P53/E41时，体质上的余量就会急剧减小，或者说增加频率所需要的电压增幅急剧增大。这也解释了为何13代可用的AC Loadline，到14代i9甚至是i7上就会宕机。P55/E43即上代13900K的水平，已经比较勉强了。再往上怼频率就是电压炸裂、功耗炸裂。

相比之下，P45/E40这个14900T的水平，如果更苛刻一点以能过P95 Small FFTs为标准，降压空间大概是0.165V。此时即使是烤P95也不过200W，R15、R23大概150W~160W，但仍有300W功耗墙时85%左右的性能。

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CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

……

太硬核了，狠狠学习了一波，感谢分享

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CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

……

前一阵13、14代高端CPU崩溃事件频发，牙膏厂宣布要调查。

目前华硕已推出新版BIOS可恢复【Intel Baseline】，即牙膏厂的预设标准，看来这就是调查的结论。后续各板厂应该都会跟进。

在限制功耗（253W）、限制IccMax（307A）、不降压的情况下，i9在一些测试中的成绩将大打折扣，不再具备【竞争力】。

先前媒体上的评测其实都是解锁并降压的，这些评测可能不再具备参考性。

如果你使用高端i7、i9且仍希望通过解锁和降压获得更好的性能，我的建议是：

1、同时调整AC Loadline、DC Loadline、Loadline Calibration为一个较小的值（比如0.4~0.7毫欧），从而获得不同负载下相对稳定的电压。请注意，虽然从理论上讲这三个值都取最小时电压最稳定，但这仅是理论。实际供电模块有物理限制，负载切换没有CPU负载变化快，需要依靠电容放电（低载转高载）、充电（高载转低载）临时支撑负载。放电过程伴随欠压（不欠压也没法放电），充电过程伴随过压。我们的目标应该是在低载向高载转换的过程中，当供电模块完成负载切换后，由LLC造成的电压降幅与先前电容放电时的欠压基本一致，或略小（也就是允许短时欠压稍多）。高端主板电容比较大、负载切换比较快，可以往0.4上靠，普通主板不要太激进。设置太小只会增加功耗。

2、使用ThrottleStop或在BIOS中设置一个全局电压负偏移量。

3、限制功耗，让R15运行频率不要超过P55/E43

4、如果BIOS支持调整VF Point，可以对次高频增压补偿，低频进一步降压。注意这个仅对P核VID有效，且可设置的倍频点有限，不可设置的倍频点由两端线性插值计算。

以我使用的14900K为例，目前我的调校是：

1、AC LL、DC LL、LLC都取0.47毫欧（微星Z790i，供电还算稳定）。

2、ThrottleStop对P核与环形总线整体偏移-0.125V。

3、功耗限制为288W（BIOS默认值）。

4、调整VF Point：P57及以上-0.01，P56+0.02，P51及以下-0.03，P52~P55线性插值（无法直接设置）。

如此调整后，最容易挂掉的R15目标频率是P55/E43，但因功耗墙并不精准且有延迟，可能出现P56；P56承受不了-0.125V的降压，所以在VF Point上增压补偿，实际是-0.105V。像CPU-Z或者游戏这些比较低的负载，可以跑满P57/E44的默认全核睿频，并且可以多降一点。

稍微遗憾的是P55这个点，之前测试时这个点有-0.135V的余量，但在VP Point中无法直接设置这个点，线性插值是补偿0.01V（P56调低R15宕机，P51调低P95宕机），最终这个点是-0.115V，在288W功耗限制下P55/E43其实没能达到最大效能。

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CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

……

本来想结束这个帖子了，但最近13、14代牙膏的问题愈演愈烈，而涉及电压的一个关键点，CPU Loadline Calibration（LLC），网上的说法相当暧昧。有些人发了很长的帖子，外网还有人发了很长的用示波器测量的视频，内容确实很多。但不知道是这些人觉得观众缺乏物理知识，还是他们自己的物理知识不过关，内容描述了很多现象，却难以从中提炼出什么指导思想。我尽量用简单的数学和物理模型讲讲这个问题的原理，以期能通过原理推论出一些可以落实的办法。

1、CPU负载模型

CPU可以简化为一个直流负载：一定的电压【U】和一定的电流【I】构成一个【负载状态】。不过CPU负载状态并不是瞬时变化的，没必要用电流这种带导数（dQ / dt）东西去定义，而是可以更简单一点：在一定的时间周期内，有一定的电压【U】和一定（通过CPU）的电荷【Q】。高负载意味着更大的Q，U需要保持一定的范围以维持正常工作（太低宕机，太高物理损坏）。

2、供电模块模型

理想的供电模块当然是【永远和CPU负载匹配】，也就是在某个CPU负载周期内能确保提供U和Q，并且在下一个CPU负载周期能确保提供新的U和Q。然而现实中的元件切换【供电状态】远比CPU切换【负载状态】要慢，理想供电模块不存在。

现在假设CPU从第一个周期的低负载U1、Q1切换到了第二个周期的高负载U2、Q2，这里ΔQ = Q2 - Q1 > 0，而供电模块还没来得及更新，还是处于针对U1、Q1这个负载的状态。先不说U2和U1是什么关系，单是这ΔQ总不能凭空出现。解决办法是在供电模块上设置电容存储电荷，在需要找补电荷的时候，通过电容放电来提供差额。

电荷、电容、电压的关系是Q = C * U（C为电容），如果我们要从电容找补ΔQ的电荷，电压下降ΔU = ΔQ / C。简单来说，靠电容找补的负载是U1 - ΔU、Q2这个组合。

注意这只是靠电容找补一个CPU负载周期，现实中需要持续找补很多个周期：供电模块调整自身状态越慢，靠电容找补的周期越多，电压也会持续下降，最终就是ΣΔU = ΣΔQ / C。

ΣΔU就是最大降压，也就是造成宕机的短板。这个东西：

（1）和CPU负载变化基本呈正比；

（2）和供电模块的电容基本成反比；

（3）和供电模块的调节周期基本成正比，或者说和供电模块的调节频率基本成反比。

若要减小ΣΔU，供电模块上能做的就是【增加电容】和【增大调节频率】。但不论是电容还是调节频率都不可能无限大，总会有一定的上限，因此ΣΔU无可避免。只能说供电模块做得比较【好】的时候可以减小ΣΔU。

从高负载转向低负载的原理类似，只是ΔQ是个减量，这些电荷也不可能凭空消失，而是充到电容里；最终有最大升压ΣΔU。

3、DC Loadline与基准电压

还是看低负载切换到高负载的情况。现在供电模块终于缓过来了，可以按U2、Q2的负载供电，这里就有个问题：U2怎么取？

在供电模块没调节好之前，电压已经下降到了U1 - ΣΔU。如果U1 - ΣΔU都能正常运行，U2就没有必要高于U1 - ΣΔU。拉高U2反而有问题：

（1）徒增功耗；

（2）在负载由高转低的时候，电压最多能上升到U2 + ΣΔU，更高的U2意味着整体电压更高，可能损坏CPU。

比较合理的做法是让U2与U1 - ΣΔU基本相同，而更保守的做法是：干脆让U2比U1 - ΣΔU还低，如果U2都不宕机，那么负载切换过程中也不可能宕机或损坏CPU。

实现从U1降低到U2的办法就是DC Loadline：它定义了一个电阻值（注意只是值，并没有真正的电阻）R_dcll，在负载电流为I_load时，调节目标为U2 = U1 - I_load * R_dcll。

I_load * R_dcll当然没法保证和ΣΔU相同，但它和CPU的负载成正比，这很接近ΣΔU的性质（1），特别是在空载转向满载的时候。

如果供电模块做得太【烂】，ΣΔU相当大，那么R_dcll也不得不增大，但这导致最终的U2更低。如果要保证U2不宕机，就需要拉高U1，或者说拉高轻载时的电压。而这个轻载时的电压就是一种基准电压，具体表现为前面楼里说的VID。

4、CPU Loadline Calibration

这个项目字面意思是负载线【校正】，它校正的是啥呢？DC Loadline。

如果供电模块做得【好】，ΣΔU能控制得比较小，就没有必要使用很大的DC Loadline阻值。

如果CPU最大负载比较小（比如中低端CPU），可能也没有必要使用很大的DC Loadline阻值。

具备LLC功能的主板（好像没有不具备的）会用LLC设置值R_llc代替R_dcll作为供电模块调整电压的参数。

普通用户讲的CPU【体质】，其实并不仅仅是CPU自身的属性，还涉及主板的供电模块及设置。因为在DC Loadline不够保守的情况下，真正造成宕机的短板电压是U1 - ΣΔU，而这个电压值转瞬即逝，软件层面根本获取不到，只能靠示波器测量。太激进的DC LL或LLC会让CPU的【体质】看起来比较糟糕，即似乎需要比较高的U2才能维持重载，但实际上这个U2是冗余的。

普通用户能采用的调试方法是人为制造轻重载快速转换，观察是否宕机：比如运行一个烤机软件，然后快速滑动鼠标，就可以造成CPU负载的快速波动。如果这样也没事儿，那算是比较稳了。

牙膏厂的一些做法，比如非常保守的VID、非常保守的DC Loadline标准值，增加CEP、UVP之类的功能，其【动机】可以理解。毕竟牙膏厂无法控制供电模块的质量，从商业的角度讲也不能对供电模块提出太苛刻的标准（主板成本高，CPU也不好卖）。但我并不认同牙膏厂的做法。这套供电设计大概已经用了20年（是不是更久我不清楚），堪称弱智。整了个CEP机制应对欠压，但效果堪称搞笑，开关CEP愣是成了区分产品线的商业手段。本来打算13代内建DLVR细调电压，没整利索直接砍了，还嘴硬说什么从来没打算加DLVR（真当大家是没见过ES的傻子）。

我发这一系列的帖子不是给牙膏厂拔创，而是希望已经买了牙膏的用户能有个更好的体验，毕竟CPU不是说换就换。

littleeva (小eva) 在 ta 的帖子中提到：

CPU的体质是个经常被电脑爱好者提起的话题，几大主板厂商也推出了所谓测体质的功能。这个帖子就来说说牙膏的体质是怎么测出来的，原理太长很难讲清楚，只说关键结论。

1、VID：体质的依据

所有板厂推出的测体质功能都是基于CPU的VID。所谓VID，直观表现是CPU在各个倍频下的基准电压，比如55倍频下1.35V之类的。对于牙膏而言，又可以细分为P核、E核、环形总线三种VID。需要强调的是，VID并不是以【表格】或【数组】的形式存储在CPU的某个部位，而是以【函数】或者说【程序】的形式存在：选定一个部件（P核、E核、环形总线），输入一个倍频值，输出一个电压值，也就是【VID = V<part>(ratio)】。

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